تحقیق حاضر به منظور توسعه سامانه نوین مغناطیسی بر پایه نانوذرات مغناطیسی آهن و پلیمر دکستران–اسپرمین برای نشانه‌گذاری و ردیابی بلند مدت سلول‌های بنیادی جنینی صورت گرفته است. در این تحقیق، ابتدا ترکیب پلیمری دکستران–اسپرمین تهیه شد و سپس نانوحامل‌های مغناطیسی به روش ژل شدن یونی با افزودن محلول تری پلی فسفات سدیم به محلول پلیمری حاوی سوسپانسیون نانوذرات مغناطیسی آهن تهیه شد. با توجه به نتایج مطالعات قبلی و انجام آزمایش‌های مقدماتی، عوامل موثر بر تولید نانوحامل‌های مغناطیسی آهن مشخص شد و محدوده‌های مناسب از عوامل فوق (که منجر به تولید نانوذره با اندازه کوچکتر از 200 نانومتر می‌گردد) با استفاده از طراحی آزمایش تاگوچی L16 به دست آمد. بر اساس نتایج به دست آمده در طراحی آزمایش تاگوچی، تمام فاکتورهای در نظر گرفته شده که شامل غلظت pH، غلظت پلیمر دکستران-اسپرمین (میلی‌گرم بر میلی‌لیتر)، نسبت غلظت سدیم تری پلی فسفات (میلی‌گرم بر میلی‌لیتر) به غلظت دکستران- اسپرمین (میلی‌گرم بر میلی‌لیتر)، نسبت غلظت نانوذرات مغناطیسی آهن (میلی‌گرم بر میلی‌لیتر) به غلظت دکستران-اسپرمین (میلی‌گرم بر میلی‌لیتر) و سرعت اضافه کردن سدیم تری پلی فسفات به محلول پلیمری (میلی‌لیتر بر دقیقه) است، به عنوان فاکتورهای مهم در تهیه نانوحامل‌های مغناطیسی در نظر گرفته شد و برای انجام بهینه‌سازی از روش پاسخ سطح (مرکب مرکزی) استفاده شد. آزمون‌های لازم برای اندازه‌گیری اندازه متوسط هیدرودینامیکی نانوحامل‌ها، مقدار آهن بارگذاری شده در این حامل‌ها و بار سطحی آن‌ها و همچنین تصویربرداری TEM برای مطالعه و بررسی چگونگی کپسوله شدن و توزیع نانوذرات مغناطیسی آهن در حامل‌های دکستران-اسپرمین و مطالعات MRI به منظور بررسی خواص تصویربرداری سامانه‌های تهیه شده انجام گرفت. رخ‌نمون رهایش نانوذرات مغناطیسی آهن از نانوحامل‌های مغناطیسی دکستران-اسپرمین در بافر استات در دمای 37 درجه سلسیوس طی 28 روز رهایش کند نانوذرات مغناطیسی آهن را نشان داد. سلول‌های بنیادی جنینی با استفاده از غلظت‌های مختلف نانوحامل‌های مغناطیسی نشانه‌گذاری شده و مقدار بهینه برای نشانه‌گذاری با توجه به تعداد کلونی‌های نشانه‌گذاری شده و سمی نبودن آن به دست آمد. مقدار ترآلودگی به دست آمده بدون استفاده از عوامل تراآلوگی در غلظت بهینه (µg/ml20 آهن) حدود 100% به‌دست آمد. اثر نشانه‌گذاری بر توانایی تمایز سلول‌های بنیادی جنینی به سلول‌های عصبی در غلظت بهینه (µg/ml20 آهن) مورد بررسی قرار گرفت و نشان داده شد که نشانه‌گذاری هیچ تاثیر منفی بر تمایز این سلول‌ها ندارد. به منظور بررسی امکان ردیابی طولانی مدت سلول‌های بنیادی جنینی نشانه‌گذاری شده در آزمایش‌های درون‌تنی،106 سلول نشانه‌گذاری شده با نانوحامل‌های مغناطیسی آهن (µg/ml 20 آهن) به پهلوی موش تزریق شد و برای مدت 6 هفته با استفاده از تصویربرداری MRI مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج به دست آمده در این پژوهش نشان داد که نانوحامل مغناطیسی نوین توسعه یافته می‌تواند برای مدت‌های طولانی‌تری در سلول باقی بماند و امکان بررسی آن را فراهم سازد.
کد نوشتار : 185777